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参数资料
| 型号： | BF510 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel silicon FET |
| 封装： | BF510<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | BF510 |
December 1997
4
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF510 to 513
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Measuring conditions (common source):
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; T
amb
= 25
C for BF510 and BF511
V
DS
= 10 V; I
D
= 5 mA; T
amb
= 25
C for BF512 and BF513
BF510
C
is
5
g
is
typ.
100
typ.
0.4
0.5
y
fs
2.5
y
fs
y
fs
typ.
3.5
C
os
3
g
os
60
g
os
typ.
35
y-parameters (common source)
Input capacitance at f = 1 MHz
Input conductance at f = 100 MHz
511
512
513
5
5
5 pF
50
S
0.4 pF
0.5 pF
3.5 mS
7.0 mS
5.0 mS
3 pF
120
S
90
S
90
0.4
0.5
4.0
60
0.4
0.5
4.0
6.0
5.0
Feedback capacitance at f = 1 MHz
C
rs
Transfer admittance at f = 1 kHz
V
GS
= 0 instead of I
D
= 5 mA
Transfer admittance at f = 100 MHz
Output capacitance at f = 1 MHz
Output conductance at f = 1 MHz
Output conductance at f = 100 MHz
5.5
3
3
80
55
100
70
Noise figure
at optimum source admittance
G
S
= 1 mS;
B
S
= 3 mS;
f = 100 MHz
F
typ.
1.5
1.5
1.5
1.5 dB
Fig.2
V
GS
= 0 for BF510 and BF511;
I
D
= 5 mA for BF512 and BF513;
f = 1 MHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
0
typ
20
0
0.5
1
Crs
(pF)
VDS (V)
4
8
12
16
MDA275
Fig.3
V
DS
= 10 V; f = 1 kHz; T
amb
= 25
C; typical
values.
handbook, halfpage
(mS)
0
5
ID (mA)
10
15
0
8
6
4
2
MDA276
BF511
BF510
BF512
BF513
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF511 | N-channel silicon FET |
| BF512 | N-channel silicon FET |
| BF513 | N-channel silicon FET |
| BF545A | N-channel FET |
| BF545B | N-channel FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF510 T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF510,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| bf510215 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BF510T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 700UA I(DSS) | TO-236 |
| BF511 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon field-effect transistors |
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