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参数资料
| 型号： | BF545A |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF545A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 6, 2005,; |
| 文件页数： | 1/16页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | BF545A |
1. Product profile
1.1 General description
N-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package.
1.2 Features and benefits
Low leakage level (typ. 500 fA)
High gain
Low cut-off voltage (max. 2.2 V for BF545A).
1.3 Applications
Impedance converters in e.g. electret microphones and infra-red detectors
VHF amplifiers in oscillators and mixers.
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage
V
GSoff
gate-source cut-off
voltage
I
DSS
drain current
BF545A; BF545B; BF545C
N-channel silicon junction field-effect transistors
Rev. 4 — 15 September 2011
Product data sheet
ST3
CAUTION
This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken
during transport and handling.
Quick reference data
Conditions
Min
-
0.4
Typ
-
-
Max
30
7.8
Unit
V
V
I
D
= 1
A; V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 15 V
BF545A
BF545B
BF545C
T
amb
25
C
V
GS
= 0 V; V
DS
= 15 V
2
6
12
-
3
-
-
-
-
-
6.5
15
25
250
6.5
mA
mA
mA
mW
mS
P
tot
y
fs
total power dissipation
forward transfer
admittance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF545B | N-channel FET |
| BF545C | N-channel FET |
| BF556A | N-channel FET |
| BF556B | N-channel FET |
| BF556C | N-channel FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF545A,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 30V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF545B | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR JFET N RF SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:15mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:7.5V; Power Dissipation Pd:250mW; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| BF545B,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 30V 2mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF545C | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon junction field-effect transistors |
| BF545C,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 30V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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