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参数资料
| 型号： | BF545A |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF545A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 6, 2005,; |
| 文件页数： | 10/16页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | BF545A |
BF545A_BF545B_BF545C
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 15 September 2011
10 of 16
NXP Semiconductors
BF545A; BF545B; BF545C
N-channel silicon junction field-effect transistors)
V
DS
= 0 V; V
GS
=
20 V.
Fig 16. Gate current as a function of junction
temperature; typical values.
V
DS
= 15 V; T
j
= 25
C.
Fig 17. Reverse transfer capacitance as a function of
gate-source voltage; typical values.
V
DS
= 15 V; T
j
= 25
C.
V
DS
= 10 V; I
D
= 1 mA; T
amb
= 25
C.
(1) b
is
.
(2) g
is
.
Fig 19. Common-source input admittance; typical
values.
Fig 18. Typical input capacitance.
mbb453
1
10
10
2
10
3
I
GSS
(pA)
10
1
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
V
GS
(V)
10
0
2
6
4
8
mbb452
0.4
0.6
0.2
0.8
1
C
rss
(pF)
0
V
GS
(V)
10
0
2
6
4
8
mbb451
1
2
3
C
iss
(pF)
0
mbb468
f (MHz)
10
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
y
is
(mS)
10
2
(1)
(2)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF545B | N-channel FET |
| BF545C | N-channel FET |
| BF556A | N-channel FET |
| BF556B | N-channel FET |
| BF556C | N-channel FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF545A,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 30V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF545B | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR JFET N RF SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:15mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:7.5V; Power Dissipation Pd:250mW; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| BF545B,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 30V 2mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF545C | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon junction field-effect transistors |
| BF545C,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 30V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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