型号: | BF545A |
厂商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | N-channel FET |
封装: | BF545A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 6, 2005,; |
文件页数: | 11/16页 |
文件大小: | 122K |
代理商: | BF545A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BF545B | N-channel FET |
BF545C | N-channel FET |
BF556A | N-channel FET |
BF556B | N-channel FET |
BF556C | N-channel FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BF545A,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 30V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
BF545B | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR JFET N RF SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:15mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:7.5V; Power Dissipation Pd:250mW; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
BF545B,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 30V 2mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
BF545C | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon junction field-effect transistors |
BF545C,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 30V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |