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参数资料
| 型号： | BF556B |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF556B<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | BF556B |
BF556A_BF556B_BF556C
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 15 September 2011
4 of 14
NXP Semiconductors
BF556A; BF556B; BF556C
N-channel silicon junction field-effect transistors
7. Static characteristics
Table 7.
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
V
(BR)GSS
gate-source breakdown voltage
V
GSoff
gate-source cut-off voltage
I
DSS
drain current
Static characteristics
Conditions
I
G
=
1
A; V
DS
= 0 V
I
D
= 200
A; V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 15 V
BF556A
BF556B
BF556C
V
GS
=
20 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 15 V
Min
30
0.5
Typ
-
-
Max
-
7.5
Unit
V
V
3
6
11
-
4.5
-
-
-
-
0.5
-
40
7
13
18
5000
-
-
mA
mA
mA
pA
mS
S
I
GSS
y
fs
y
os
gate-source leakage current
forward transfer admittance
common source output
admittance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF556C | N-channel FET |
| BF861A | N-channel FET |
| BF861B | N-channel FET |
| BF861C | N-channel FET |
| BF862 | N-channel junction FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF556B T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF556B,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF556C | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon junction field-effect transistors |
| BF556C T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF556C,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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