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参数资料
| 型号： | BF861C-T |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | BF861C-T |
9397 750 13395
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 24 September 2004
4 of 13
Philips Semiconductors
BF861A; BF861B; BF861C
N-channel junction FETs
VGSoff
gate-source cut-off
voltage
BF861A
ID =1 A
0.2
-
1V
BF861B
ID =1 A
0.5
-
1.5
V
BF861C
ID =1 A
0.8
-
2V
VGSS
gate-source forward
voltage
VDS =0V; IG =1mA
-
1
V
IDSS
drain current
BF861A
2
-
6.5
mA
BF861B
6
-
15
mA
BF861C
12
-
25
mA
IGSS
gate cut-off current
VGS = 20 V;
VDS =0V
--
1nA
yfs
forward transfer
admittance
BF861A
12
-
20
mS
BF861B
16
-
25
mS
BF861C
20
-
30
mS
gos
common source
output conductance
BF861A
-
200
S
BF861B
-
250
S
BF861C
-
300
S
Ciss
input capacitance
f = 1 MHz
-
10
pF
Crss
reverse transfer
capacitance
f = 1 MHz
-
2.1
2.7
pF
Vn/√B
equivalent input noise
voltage
VGS = 0 V; f = 1 MHz
-
1.5
-
nV/
√Hz
Table 7:
Characteristics …continued
Tj =25 °C; VDS =8V; VGS = 0 V unless otherwise specied.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF988B | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-50 |
| BFCN-7500+ | 7500 MHz, CERAMIC BPF |
| BFCN-ED13661/10 | 8350 MHz, BAND PASS FILTER |
| BFCN-EDR9964/12 | 6515 MHz, BAND PASS FILTER |
| BFG198TRL | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF862 | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| BF862,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 20V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF862,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BF862 Series 20 V 300 mW SMT N-ChannelJunction FET - SOT-23-3 |
| BF862,235 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 20V 25mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF862_00 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel junction FET |
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