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参数资料
| 型号： | BF861C-T |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | BF861C-T |
9397 750 13395
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 24 September 2004
5 of 13
Philips Semiconductors
BF861A; BF861B; BF861C
N-channel junction FETs
VDS =8V.
VGS =0V.
Fig 2.
Drain current as a function of gate-source
cut-off voltage; typical values.
Fig 3.
Common-source output conductance as a
function of drain current; typical values.
VDS =8V.
VGS =0V.
VDS =8V.
Fig 4.
Forward transfer admittance as a function of
drain current; typical values.
Fig 5.
Forward transfer admittance as a function of
drain current; typical values.
VGSoff (V)
0
2
1.5
0.5
1
mbd461
10
20
30
IDSS
(mA)
0
IDSS (mA)
025
20
10
15
5
mbd462
100
200
300
gos
(
S)
0
IDSS (mA)
025
20
10
15
5
mbd463
10
20
30
|yfs|
(mS)
0
ID (mA)
020
15
510
mbd464
10
15
5
20
25
|yfs|
(mS)
0
BF861C
BF861B
BF861A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF988B | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-50 |
| BFCN-7500+ | 7500 MHz, CERAMIC BPF |
| BFCN-ED13661/10 | 8350 MHz, BAND PASS FILTER |
| BFCN-EDR9964/12 | 6515 MHz, BAND PASS FILTER |
| BFG198TRL | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF862 | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| BF862,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 20V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF862,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BF862 Series 20 V 300 mW SMT N-ChannelJunction FET - SOT-23-3 |
| BF862,235 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 20V 25mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF862_00 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel junction FET |
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