参数资料
型号: BFL4007
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI
标准包装: 100
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 680 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 30V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FI(LS)
包装: 散装
BFL4007
10
VGS -- Qg
2
ASO
0 μ
1m
10 ms
era 0 s
tio
9
8
7
6
5
4
3
2
VDS=200V
ID=14A
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
IDP=49A (PW≤10μs)
IDc(*1)=14A
DC
Operation in op
this area is
limited by RDS(on).
IDpack(*2)=8.7A
10
m
n
10
s
10 μ
s
s
Single pulse
1.0
1
0
0
10
20
30
40
50
3 Tc=25 ° C
2
0.01
2 3 5
* 1. Shows chip capability
* 2. Our ideal heat dissipation condition
7 10 2 3 5 7 100 2 3
5 7 1K
2.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT11761
45
Drain to Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT17062
40
2.0
1.5
35
30
25
20
1.0
15
0.5
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
120
Ambient Temperature, Ta -- ° C
EAS -- Ta
IT15487
Case Temperature, Tc -- ° C
IT15488
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A1689-4/6
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