参数资料
型号: BFL4007
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI
标准包装: 100
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 680 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 30V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FI(LS)
包装: 散装
BFL4007
Outline Drawing
BFL4007-1E
Mass (g) Unit
1.8
* For reference
mm
No. A1689-5/6
相关PDF资料
PDF描述
BFL4026 MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI
BFL4036 MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-220FI
BFL4037 MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FI
BGF717-UV1 LAMP UB MINI HOT CATHODE
BH1600FVC-TR IC AMBIENT LIGHT SENSOR WSOF6
相关代理商/技术参数
参数描述
BFL4007-1E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FNFLD / NCH 10V DRIVE SERIES
BFL4026 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BFL4026_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
BFL4026-1E 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BFL4036 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube