型号: | BFR520 |
厂商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分类: | 晶体管 |
英文描述: | NPN 9 GHz wideband transistor |
封装: | BFR520<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR520<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR520 |
文件页数: | 14/14页 |
文件大小: | 163K |
代理商: | BFR520 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BFR520 | NPN 9 GHz wideband transistor |
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BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BFR520,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 70MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
BFR520,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFR520 Series 15 V 300 mW 9 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-23-3 |
BFR520,235 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
BFR520 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 |
BFR520.215 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:The BFR520 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package |