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参数资料
| 型号： | BFR520 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 振荡器 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR520<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR520<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR520 |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | BFR520 |
1. Product profile
1.1 General description
The BFR520 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package.
1.2 Features and benefits
High power gain
Low noise figure
High transition frequency
Gold metallization ensures excellent reliability.
1.3 Applications
RF front end wideband applications in the GHz range
Analog and digital cellular telephones
Cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.)
Radar detectors
Pagers and satellite TV tuners (SATV)
Repeater amplifiers in fiber-optic systems.
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CES
collector-emitter
voltage
I
C
collector current (DC)
P
tot
total power dissipation
h
FE
DC current gain
C
re
feedback capacitance
BFR520
NPN 9 GHz wideband transistor
Rev. 4 — 13 September 2011
Product data sheet
ST3
Quick reference data
Conditions
Min
-
-
Typ
-
-
Max
20
15
Unit
V
V
R
BE
= 0
-
-
-
120
0.4
70
300
250
-
mA
mW
up to T
sp
= 97
C
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V
I
C
= i
c
= 0 A; V
CB
= 6 V;
f = 1 MHz
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V;
f = 1 GHz
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
C
f = 900 MHz
f = 2 GHz
[1]
-
60
-
pF
f
T
transition frequency
-
9
-
GHz
G
UM
maximum unilateral
power gain
-
-
15
9
-
-
dB
dB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR520,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 70MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR520,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFR520 Series 15 V 300 mW 9 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-23-3 |
| BFR520,235 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR520 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 |
| BFR520.215 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:The BFR520 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package |
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