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参数资料
| 型号： | BFR540 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR540<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR540<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | BFR540 |
1. Product profile
1.1 General description
The BFR540 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package.
1.2 Features and benefits
High power gain
Low noise figure
High transition frequency
Gold metallization ensures excellent reliability.
1.3 Applications
RF front end wideband applications in the GHz range
Analog and digital cellular telephones
Cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.)
Radar detectors
Satellite TV tuners (SATV)
MATV/CATV amplifiers
Repeater amplifiers in fiber-optic systems.
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
CBO
V
CES
BFR540
NPN 9 GHz wideband transistor
Rev. 6 — 13 September 2011
Product data sheet
ST3
Quick reference data
Parameter
collector-base voltage
collector-emitter
voltage
collector current (DC)
total power dissipation
DC current gain
feedback capacitance
Conditions
open emitter
R
BE
= 0
Min
-
-
Typ
-
-
Max
20
15
Unit
V
V
I
C
P
tot
h
FE
C
re
-
-
-
120
0.6
120
500
250
-
mA
mW
T
sp
70
C
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V
I
C
= i
c
= 0 A; V
CB
= 8 V;
f = 1 MHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V;
f = 1 GHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
C
f = 900 MHz
f = 2 GHz
[1]
-
100
-
pF
f
T
transition frequency
-
9
-
GHz
G
UM
maximum unilateral
power gain
-
-
14
7
-
-
dB
dB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR92AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR92AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR540 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 3-Pin TO-236AB T/R |
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| BFR540,235 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 120mA 500mW 100 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR540 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 |
| BFR540/T1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
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