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参数资料
| 型号： | BFR540 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR540<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR540<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | BFR540 |
BFR540
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 6 — 13 September 2011
4 of 14
NXP Semiconductors
BFR540
NPN 9 GHz wideband transistor
[1]
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming s
12
is zero and
[2]
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; R
L
= 50
; T
amb
= 25
C; f = 900 MHz; f
p
= 900 MHz; f
q
= 902 MHz.
Measured at f
(2p
q)
= 898 MHz and f
(2q
p)
= 904 MHz.
[3]
d
im
=
60 dB (DIN 45004B); V
p
= V
O
; V
q
= V
O
6 dB; f
p
= 795.25 MHz; V
R
= V
O
6 dB; f
q
= 803.25 MHz;
f
r
= 805.25 MHz.
Measured at f
(p+q
r)
= 793.25 MHz.
NF
noise figure
s
=
opt
; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
C
I
C
= 10 mA; f = 900 MHz
I
C
= 40 mA; f = 900 MHz
I
C
= 10 mA; f = 2 GHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V;
R
L
= 50
; T
amb
= 25
C;
f = 900 MHz
-
-
-
-
1.3
1.9
2.1
21
1.8
2.4
-
-
dB
dB
dB
dBm
P
L(1dB)
output power at
1 dB gain
compression
third order
intercept point
output voltage
ITO
[2]
-
34
-
dBm
V
O
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V;
Z
L
= Z
S
= 75
;
T
amb
= 25
C
[3]
-
550
-
mV
Table 7.
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Characteristics
…continued
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
G
UM
10
s
1
2
1
s
11
–
s
22
2
–
-----------------------------------------------------
dB
.
log
=
V
CE
= 8 V.
DC current gain as a function of collector
current.
Fig 1.
Power derating curve.
Fig 2.
T
sp
(
°
C)
0
200
150
50
100
mea398
200
400
600
P
tot
(mW)
0
mra687
100
150
50
200
250
h
FE
0
10
2
I
C
(mA)
10
2
10
10
1
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
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