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参数资料
| 型号： | BFR520 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 振荡器 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR520<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR520<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR520 |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | BFR520 |
BFR520
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 13 September 2011
6 of 14
NXP Semiconductors
BFR520
NPN 9 GHz wideband transistor
V
CE
= 6 V; I
C
= 5 mA.
Gain as a function of frequency; I
C
= 5 mA.
V
CE
= 6 V; I
C
= 20 mA.
Gain as a function of frequency; I
C
= 20 mA.
Fig 7.
Fig 8.
V
CE
= 6 V.
Minimum noise figure and associated
available gain as functions of collector
current.
V
CE
= 6 V.
Fig 9.
Fig 10. Minimum noise figure and associated
available gain as functions of frequency.
mra708
50
40
30
20
10
0
gain
(dB)
f (MHz)
10
10
2
10
3
10
4
G
max
G
UM
MSG
mra709
50
40
30
20
10
0
gain
(dB)
f (MHz)
10
10
2
10
3
10
4
G
max
G
UM
MSG
5
0
1
2
5
0
5
10
G
ass
(dB)
15
20
3
F
min
(dB)
I
C
(mA)
4
mra714
1
10
2
10
F
min
G
ass
900
1000
500
900
2000
2000
f (MHz)
5
0
10
2
1
2
5
0
5
10
G
ass
(dB)
15
20
3
F
min
(dB)
f (MHz)
4
mra715
10
4
10
3
F
min
5
20
20
5
G
ass
I
C
(mA)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR520,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 70MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR520,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFR520 Series 15 V 300 mW 9 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-23-3 |
| BFR520,235 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR520 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 |
| BFR520.215 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:The BFR520 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package |
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