参数资料
型号: BFR540
厂商: NXP Semiconductors N.V.
元件分类: 晶体管
英文描述: NPN 9 GHz wideband transistor
封装: BFR540<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR540<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
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代理商: BFR540
BFR540
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Product data sheet
Rev. 6 — 13 September 2011
5 of 14
NXP Semiconductors
BFR540
NPN 9 GHz wideband transistor
I
C
= 0 A; f = 1 MHz.
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
T
amb
= 25
C; f = 1 GHz.
Transition frequency as a function of collector
current.
Fig 3.
Fig 4.
V
CE
= 8 V; f = 900 MHz.
Gain as a function of collector current.
V
CE
= 8 V; f = 2 GHz.
Gain as a function of collector current.
Fig 5.
Fig 6.
mra688
V
CB
(V)
0
12
8
4
0.4
0.6
0.2
0.8
1
C
re
(pF)
0
mra689
4
8
12
f
T
(GHz)
0
10
1
I
C
(mA)
10
2
10
1
V
CE
= 8 V
4 V
mra690
I
C
(mA)
0
60
40
20
10
15
5
20
25
gain
(dB)
0
MSG
G
max
G
UM
mra691
I
C
(mA)
0
60
40
20
10
15
5
20
25
gain
(dB)
0
G
max
G
UM
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