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参数资料
| 型号： | BFR540 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR540<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR540<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | BFR540 |
BFR540
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 6 — 13 September 2011
6 of 14
NXP Semiconductors
BFR540
NPN 9 GHz wideband transistor
V
CE
= 8 V; I
C
= 10 mA.
Gain as a function of frequency; I
C
= 10 mA.
V
CE
= 8 V; I
C
= 40 mA.
Gain as a function of frequency; I
C
= 40 mA.
Fig 7.
Fig 8.
V
CE
= 8 V.
Minimum noise figure and associated
available gain as a function of collector
current.
V
CE
= 8 V.
Fig 9.
Fig 10. Minimum noise figure and associated
available gain as a function of frequency.
f (MHz)
10
10
4
10
3
10
2
mra692
20
30
10
40
50
gain
(dB)
0
G
UM
G
max
MSG
f (MHz)
10
10
4
10
3
10
2
mra693
20
30
10
40
50
gain
(dB)
0
G
UM
G
max
MSG
mra698
2
3
1
4
5
F
min
(dB)
0
5
10
0
15
20
G
ass
(dB)
5
I
C
(mA)
1
10
2
10
F
min
G
ass
900
1000
500
900
2000
2000
f (MHz)
mra699
2
3
1
4
5
F
min
(dB)
0
5
10
0
15
20
G
ass
(dB)
5
f (MHz)
10
4
10
3
10
2
10
40
10
40
I
C
(mA)
F
min
G
ass
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR92AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR92AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR92AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR540 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 3-Pin TO-236AB T/R |
| BFR540,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 120MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR540,235 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 120mA 500mW 100 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR540 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 |
| BFR540/T1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
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