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参数资料
| 型号： | BFR92A |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR92A/A2<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-free,;BFR92A/A2<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always P |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | BFR92A |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92A
Fig.5
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
C
= i
c
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(pF)
0
5
10
20
0
0.8
MBB274
15
0.6
0.4
0.2
VCB (V)
Fig.6
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 10 V; f = 500 MHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
10
20
30
0
2
4
MBB275
IC
fT
(GHz)
Fig.7
Gain as a function of collector current;
typical values.
V
CE
= 10 V; f = 500 MHz.
MSG = maximum stable gain;
G
UM
= maximum unilateral power gain.
handbook, halfpage
0
20
10
0
25
MBB278
5
10
15
20
gain
(dB)
IC (mA)
MSG
GUM
Fig.8
Gain as a function of collector current;
typical values.
V
CE
= 10 V; f = 1 GHz.
MSG = maximum stable gain;
G
UM
= maximum unilateral power gain.
handbook, halfpage
0
20
10
0
25
MBB279
5
10
15
20
gain
(dB)
IC
MSG
GUM
Rev. 04 - 2 March 2009
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PDF描述 |
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