参数资料
型号: BFR92AW
厂商: NXP Semiconductors N.V.
元件分类: 晶体管
英文描述: NPN 5 GHz wideband transistor
封装: BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
文件页数: 5/13页
文件大小: 271K
代理商: BFR92AW
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92AW
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 10 V.
handbook, halfpage
0
10
20
30
0
40
80
MCD074
hFE
IC
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
C
= 0; f = 1 MHz.
0
1.0
0
20
MGC883
4
8
VCB
Cre
(pF)
0.8
0.6
0.4
0.2
12
16
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 5 V; f = 500 MHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
4
2
0
MGC884
10
1
fT
(GHz)
IC
10
2
Rev. 03 - 12 March 2008
5 of 13
相关PDF资料
PDF描述
BFR92AW NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92AW NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92A NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92A NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92A NPN 5 GHz wideband transistor
相关代理商/技术参数
参数描述
BFR92AW /T3 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
BFR92AW T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin SC-70 T/R
BFR92AW,115 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 15V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
BFR92AW,135 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
BFR92AW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323