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参数资料
| 型号： | BFR92AW |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | BFR92AW |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92AW
FEATURES
High power gain
Gold metallization ensures
excellent reliability
SOT323 (S-mini) package.
APPLICATIONS
It is designed for use in RF amplifiers,
mixers and oscillators with signal
frequencies up to 1 GHz.
DESCRIPTION
Silicon NPN transistor encapsulated
in a plastic SOT323 (S-mini) package.
The BFR92AW uses the same crystal
as the SOT23 version, BFR92A.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Marking code
: P2.
Fig.1 SOT323
handbook, 2 columns
3
1
2
MBC870
Top view
QUICK REFERENCE DATA
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
C
re
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector current (DC)
total power dissipation
current gain
feedback capacitance
open emitter
open base
65
90
0.35
20
15
25
300
135
V
V
mA
mW
up to T
s
= 93
°
C; note 1
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 0; V
CE
= 10 V; f = 1 MHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V; f = 500 MHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 5 mA; V
CE
= 10 V; f = 1 GHz;
Γ
s
=
Γ
opt
pF
f
T
G
UM
transition frequency
maximum unilateral power
gain
3.5
5
14
GHz
dB
8
dB
F
noise figure
2
dB
T
j
junction temperature
150
°
C
Rev. 03 - 12 March 2008
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR92AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR92A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR92A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR92A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AR | NPN 6 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR92AW /T3 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR92AW T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin SC-70 T/R |
| BFR92AW,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 15V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR92AW,135 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR92AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323 |
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