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参数资料
| 型号： | BFR92AW |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | BFR92AW |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92AW
PACKAGE OUTLINE
Fig.19 SOT323.
Dimensions in mm.
handbook, full pagewidth
0.25
0.10
B
0.2
0.2
A
A
M
M
1
2
3
0.65
1.3
2.2
1.8
0.40
0.30
B
1.35
1.15
2.2
2.0
detail X
X
1.1
max
0.1
0.0
1.0
0.8
0.3
0.1
0.2
MBC871
Rev. 03 - 12 March 2008
11 of 13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR92A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR92A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR92A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AR | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93AR | NPN 6 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR92AW /T3 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR92AW T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin SC-70 T/R |
| BFR92AW,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 15V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR92AW,135 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR92AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323 |
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