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参数资料
| 型号： | BFR92AW |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | BFR92AW |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92AW
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C (unless otherwise specified).
Note
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming s
12
is zero and
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
UM
collector leakage current
DC current gain
collector capacitance
emitter capacitance
feedback capacitance
transition frequency
maximum unilateral power
gain; note 1
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V; f = 500 MHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V;
f = 1 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V;
f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 5 mA; V
CE
= 10 V;
f = 1 GHz;
Γ
s
=
Γ
opt
I
C
= 5 mA; V
CE
= 10 V;
f = 2 GHz;
Γ
s
=
Γ
opt
65
3.5
90
0.6
0.9
0.35
5
14
50
135
nA
pF
pF
pF
GHz
dB
8
dB
F
noise figure
2
dB
3
dB
G
UM
10
s
)
1
2
1
s
11
–
(
s
22
2
–
(
)
------------------------------------------------------------ dB.
log
=
Rev. 03 - 12 March 2008
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR92A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR92A | NPN 5 GHz wideband transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BFR92AW T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin SC-70 T/R |
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| BFR92AW,135 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR92AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323 |
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