参数资料
型号: BFR93A
厂商: NXP Semiconductors N.V.
元件分类: 晶体管
英文描述: NPN 6 GHz wideband transistor
封装: BFR93A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR93A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
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代理商: BFR93A
1997 Oct 29
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 6 GHz wideband transistor
BFR93A
Fig.2 Intermodulation distortion and second harmonic distortion MATV test circuit.
L1 = L3 = 5
H choke.
L2 = 3 turns 0.4 mm copper wire; winding pitch 1 mm; internal diameter 3 mm.
handbook, full pagewidth
MBB251
18
Ω
1.5 nF
10 k
Ω
L2
L1
1 nF
75
Ω
input
270
Ω
1 nF
L3
1.5 nF
1 nF
0.68 pF
3.3 pF
DUT
75
Ω
output
VCC
VBB
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
0
50
100
200
300
100
0
200
MBG246
150
Ts(
o
C)
Fig.4
DC current gain as a function of
collector current.
V
CE
= 5 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
10
20
30
0
40
80
MCD087
hFE
IC
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