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参数资料
| 型号： | BFR93A |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 6 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR93A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR93A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | BFR93A |
1997 Oct 29
7
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 6 GHz wideband transistor
BFR93A
Fig.13 Minimum noise figure as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 8 V.
handbook, halfpage
F
(dB)
2
1
0
MCD094
10
1
3
IC
f = 2 GHz
500 MHz
1 GHz
10
2
Fig.14 Minimum noise figure as a function of
frequency; typical values.
V
CE
= 8 V.
handbook, halfpage
F
(dB)
2
1
0
10
2
MCD095
3
f (MHz)
5 mA
10 mA
10
4
10
3
IC
Fig.15 Intermodulation distortion; typical values.
V
CE
= 8 V; V
O
= 425 mV (52.6 dBmV);
f
p
+ f
q
f
r
= 793.25 MHz; T
amb
= 25
C.
Measured in MATV test circuit (see Fig.2)
handbook, halfpage
MBB263
(dB)
0
10
20
40
65
45
30
50
55
60
IC
Fig.16 Second order intermodulation distortion;
typical values.
V
CE
= 8 V; V
O
= 200 mV (46 dBmV);
f
p
+ f
q
f
r
= 810 MHz; T
amb
= 25
C.
Measured in MATV test circuit (see Fig.2)
handbook, halfpage
(dB)
0
10
20
40
55
35
MBB264
30
40
45
50
I C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR94AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR94AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR94A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR94A | NPN 5 GHz wideband transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR93A T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.035A 3-Pin TO-236AB T/R |
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| BFR93A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 |
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