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参数资料
| 型号： | BFR93AW |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 254K |
| 代理商： | BFR93AW |
1995 Sep 18
3
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR93AW
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
15
12
2
35
300
+150
150
V
V
V
mA
mW
C
C
up to T
s
= 93
C; see Fig.2; note 1
Fig.2 Power derating curve.
0
50
100
200
200
0
MLB540
150
Ts
o
Ptot
(mW)
300
400
100
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the Limiting values and Thermal characteristics
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to
soldering point
up to T
s
= 93
C; note 1
190
K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR93AW T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AW,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AW,135 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AW | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323 |
| BFR93AW115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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