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参数资料
| 型号： | BFR93AW |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 254K |
| 代理商： | BFR93AW |
1995 Sep 18
6
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR93AW
Fig.6
Gain as a function of collector current;
typical values.
V
CE
= 8 V; f = 500 MHz.
0
30
20
10
0
10
20
MBG202
30
GUM
MSG
IC (mA)
gain
(dB)
Fig.7
Gain as a function of collector current;
typical values.
V
CE
= 8 V; f = 1 GHz.
0
30
20
10
0
10
20
MBG201
30
MSG
GUM
gain
(dB)
IC (mA)
Fig.8
Gain as a function of frequency;
typical values.
V
CE
= 8 V; I
C
= 10 mA.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
MBG200
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
Gmax
MSG
Fig.9
Gain as a function of frequency;
typical values.
V
CE
= 8 V; I
C
= 30 mA.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
MBG207
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
Gmax
MSG
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR93AW T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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| BFR93AW,135 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AW | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323 |
| BFR93AW115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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