型号: | BFU710F |
厂商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分类: | 晶体管 |
英文描述: | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
封装: | BFU710F<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
文件页数: | 9/12页 |
文件大小: | 126K |
代理商: | BFU710F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BFU710F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BFU710F,115 | 功能描述:射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极连续电流: 功率耗散: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel |
BFU710F,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFU710 Series 5.5 V 14 dB Gain NPN Silicon Germanium RF Transistor - SOT-343F-4 |
BFU710F115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
BFU725F | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |
BFU725F,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF NPN Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |