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参数资料
| 型号： | BFU790F |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| 封装： | BFU790F<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | BFU790F |
BFU790F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 22 April 2011
6 of 12
NXP Semiconductors
BFU790F
NPN wideband silicon germanium RF transistor
f = 1 MHz, T
amb
= 25
°
C.
Collector-base capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values
V
CE
= 1 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C.
Transition frequency as a function of collector
current; typical values
Fig 4.
Fig 5.
V
CE
= 1 V; T
amb
= 25
°
C.
(1) f = 1.5 GHz
(2) f = 1.8 GHz
(3) f = 2.4 GHz
Fig 6.
Gain as a function of collector current; typical value
V
CB
(V)
0
5
4
2
3
1
001aam875
400
200
600
800
C
CBS
(fF)
0
I
C
(mA)
0
100
80
40
60
20
001aam876
10
20
30
fT
(GHz)
0
I
C
(mA)
0
100
80
40
60
20
001aam877
10
15
5
20
25
G
(dB)
0
(1)
(3)
MSG
G
p(max)
(2)
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PDF描述 |
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