| 型号: | BFY193P |
| 元件分类: | 开关 |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数: | 2/7页 |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | BFY193P |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFY193S | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| BFY196 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| BFY196H | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| BFY196P | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| BFY196S | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFY193PZZZA1 | 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 7.5GHz 580mW Surface Mount MICRO-X1 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz 增益:12.5dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 30mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:MICRO-X1 供应商器件封装:MICRO-X1 标准包装:1 |
| BFY193S | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel NPN Silicon RF Transistor |
| BFY193SAMNZ | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFY196 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel NPN Silicon RF Transistor |
| BFY196_11 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel NPN Silicon RF Transistor |