参数资料
型号: BR24S64FJ-WE2
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 26/41页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 64KBIT 400KHZ 8SOP
标准包装: 1
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 64K (8K x 8)
速度: 400kHz
接口: I²C,2 线串口
电源电压: 1.7 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP-J
包装: 标准包装
产品目录页面: 1379 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: BR24S64FJ-WE2DKR
BR24L □□ -W Series,BR24S □□□ -W Series
● Characteristic data (The following values are Typ. ones.)
Technical Note
5
6
1
4
3
2
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
5
4
3
2
Ta=-40℃
SPEC
0.8
0.6
0.4
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
1
0
1
0
Ta=25℃
Ta=85℃
0.2
0
0
1
2 3 4 5
SUPPLY VOLTAGE : Vcc[V]
6
0
1
2 3 4 5
SUPPLY VOLTAGE : Vcc[V]
6
0
1
2 3 4 5
SUPPLY VOLTAGE : Vcc[V]
6
Fig.24 BUS open time before transmission  t BUF
0.6
0.6
Fig.25 Internal writing cycle time  t WR
Fig.26 Noise reduction efection time t l (SCL H)
0.6
0.5
0.4
0.3
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
0.5
0.4
0.3
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
0.5
0.4
0.3
Ta=-40℃
0.2
0.1
SPEC
0.2
0.1
SPEC
0.2
0.1
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
0
0
1
2 3 4
SUPPLY VOLTAGE : Vcc[V]
5
6
0
0
2 4
SUPPLY VOLATGE : Vcc[V]
6
0
0
1
2 3 4
SUPPLY VOLTAGE : Vcc[V]
5
6
0.2
Fig.27   Noise reduction efective time  t l (SCL L)
1.2
Fig.28   Noise resuction efecctive time  t l (SDA H)
Fig.29 Noise reduction efective time t l ( SDA L )
0.1
SPEC
1
SPEC
0
-0.1
-0.2
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
0.8
0.6
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
0.4
0.2
0
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
0
1
2 3 4 5
6
0
1
2 3 4 5
6
SUPPLY VOLTAGE : Vcc[V]
Fig.30 WP setup time t SU : WP
SUPPLYVOLTAGE : Vcc[V]
Fig.31 WP efective time t HIGH : WP
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2009.09 - Rev.D
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