参数资料
| 型号： | BR25L160FJ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 13/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 16KBIT 5MHZ 8SOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 5MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP-J |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1379 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR25L160FJ-WE2DKR |
BR25L010-W, BR25L020-W, BR25L040-W, BR25L080-W, BR25L160-W, BR25L320-W, BR25L640-W
Technical Note
In order to realize more stable high speed operation, it is recommended to make the values of R PU , R PD as large as
possible, and make the amplitude of signal input to EEPROM close to the amplitude of VCC / GND level.
(*1 At this moment, operating timing guaranteed value is guaranteed.)
tPD-VIL characteristics
80
75
70
65
60
55
V CC =1.8V
Ta =25°C
VIH=V CC
C L =100pF
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VIL[V]
Fig.55 V IL dependency of
data output delay time
SO load capacity condition
Load capacity of SO output pin affects upon delay characteristic of SO output. (Data output delay time, time from HOLD
to High-Z) In order to make output delay characteristic into higher speed, make SO load capacity small. In concrete, "Do
not connect many devices to SO bus", "Make the wire between the controller and EEPROM short", and so forth.
tPD-CL characteristics
80
V CC =1.8V Ta =25°C
70
60
50
40
VIH/VIL=0.8V CC /0.2V CC
EEPROM
SO
CL
0
20
40
60
80
100
120
C L [ V]
Fig.56 SO load dependency of data output delay time
Other cautions
Make the wire length from the microcontroller to EEPROM input signal same length, in order to prevent setup / hold violation
to EEPROM, owing to difference of wire length of each input.
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.07 - Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR25L160FVT-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:SPI BUS 16Kbit (2,048 x 8bit) EEPROM |
| BR25L160FVT-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SPI 2048X8 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR25L160FV-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:SPI BUS 16Kbit (2,048 x 8bit) EEPROM |
| BR25L160FV-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SPI 16K BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR25L160F-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:SPI BUS 16Kbit (2,048 x 8bit) EEPROM |
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