参数资料
型号: BS170_D26Z
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 10/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 500mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 欧姆 @ 200mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V
功率 - 最大: 830mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: BS170_D26ZCT
Mechanical Dimensions ( TO-92 )
TO-92
Dimensions in Millimeters
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
BS170 / MMBF170 Rev. E2
10
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
LK202-25-VPT LCD ALPHA/NUM DISPL 20X2 Y/G BK
P51-75-A-G-MD-5V-000-000 SENSOR 75PSI 1/8-27NPT 1-5V
P51-50-A-G-MD-5V-000-000 SENSOR 50PSI 1/8-27NPT 1-5V
P51-15-A-G-MD-5V-000-000 SENSOR 15PSI 1/8-27NPT 1-5V
PSA60-303 POWER SUPPLY OPEN FRAME SWITCH
相关代理商/技术参数
参数描述
BS170-D27Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 200mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 基本零件编号:BS170 标准包装:1
BS170-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 200mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 基本零件编号:BS170 标准包装:1
BS170-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 200mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 基本零件编号:BS170 标准包装:1
BS170F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 150mA, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BS170F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23