型号: | BSM200GB60DLC |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BSM200GB60DLC |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSM200GB60DLCHOSA1 | 功能描述:IGBT MODULE 600V 230A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 |
BSM200GD60DLC | 功能描述:IGBT 模块 600V 200A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
BSM200GT120DLC | 功能描述:IGBT 模块 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
BSM200GT120DN2 | 功能描述:IGBT 模块 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
BSM204A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 50V V(BR)DSS | 200A I(D) |