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BSM200GT120DLC

配单专家企业名单
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  • BSM200GT120DLC
    BSM200GT120DLC

    BSM200GT120DLC

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:陈先生13360533550

    电话:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田区华富路航都大厦11F

    资质:营业执照

  • 18990

  • INFINEON/英飞凌

  • MODULE

  • 22+

  • -
  • 原厂原装现货

  • BSM200GT120DLC
    BSM200GT120DLC

    BSM200GT120DLC

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 175

  • isc,iscsemi

  • S122X62

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT 模块 1200V 200A TRIPACK
  • RoHS
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 产品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 600 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 1.95 V
  • 在25 C的连续集电极电流
  • 230 A
  • 栅极—射极漏泄电流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作温度
  • + 125 C
  • 封装 / 箱体
  • 34MM
  • 封装
BSM200GT120DLC 技术参数
  • BSM200GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 230A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM200GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 230A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM1-X 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装 零件状态:过期 端子类型:对接接头,直插式,单独开口 进线数:2 端接:压接 线规:18-20 AWG 绝缘:非绝缘 特性:铜焊缝 颜色:- 标准包装:10 BSM1-C 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装 零件状态:过期 端子类型:对接接头,直插式,单独开口 进线数:2 端接:压接 线规:18-20 AWG 绝缘:非绝缘 特性:铜焊缝 颜色:- 标准包装:100 BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 50mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:12 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q
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