| 型号: | BSM35GD120DN2E3224 |
| 元件分类: | 开关 |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数: | 3/7页 |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | BSM35GD120DN2E3224 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSM35GP120 | 功能描述:IGBT 模块 1200V 35A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| BSM35GP120BOSA1 | 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:230W 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 |
| BSM35GP120G | 功能描述:IGBT 模块 1200V 35A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| BSM3650 | 制造商:Brady Corporation 功能描述:RUG, 36"X50,BARRIER SPILL MAT |
| BSM400GA120DL | 制造商:SIEMENS 功能描述:400 |