型号: | BSO612CV G |
厂商: | Infineon Technologies |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC |
其它图纸: | SO-8 Dual |
标准包装: | 1 |
系列: | SIPMOS® |
FET 型: | N 和 P 沟道 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3A,2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 120 毫欧 @ 3A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 20µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 340pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | PG-DSO-8 |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1619 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | BSO612CVGINDKR |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSO612CVT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin DSO T/R |
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BSO613SPV G | 功能描述:MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |