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参数资料
| 型号： | BSS123 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 73pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BSS123NDKR |
Typical Characteristics
1
0.8
V GS = 10V
6.0V
4.5V
3.0V
3.5V
1.6
1.5
1.4
0.6
0.4
2.5V
1.3
1.2
V GS = 2.5V
1.1
3.0V
3.5V
4.5V
6.0V
10V
0.2
1
0
0
1
2
3
4
2.0V
5
0.9
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
2.2
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
3.4
2
I D = 170mA
V GS = 10V
3
I D = 0.08A
1.8
1.6
2.6
T A = 125 o C
1.4
2.2
1.2
1
1.8
0.8
1.4
0.6
0.4
1
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
1
0.8
0.6
0.4
V DS = 10V
T A = 125 o C
1
0.1
0.01
V GS = 0V
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
0.2
0
25 o C
-55 o C
0.001
0.0001
1
1.5
2
2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
BSS123 Rev G(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| XMLHVW-Q2-0000-0000HS6E6 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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