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参数资料
| 型号： | BSS123W-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 |
| 其它图纸： | SOT-323 Package Top SOT-323 Package Side 1 SOT-323 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS123WDICT |
BSS123W
0.7
0.6
0.5
2.4
2.0
0.4
1.6
0.3
0.2
0.1
1.2
0
0
1 2 3 4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 On-Region Characteristics
5
0.8
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain-Source Current
1.2
2.2
1.1
1
V DS = V GS
I D = 250 ? A
2
1.8
1.6
1.4
1.2
0.9
1
0.8
0.7
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Fig. 3 Gate Threshold Variation with Temperature
50
40
30
20
10
0.8
0.6
0.4
250
200
150
100
50
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Fig. 4 On-Resistance Variation with Temperature
0
0
5 10 15 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Capacitance
25
0
0
100
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Power Derating Curve, Total Package
200
BSS123W
Document number: DS30368 Rev. 11 - 2
3 of 5
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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