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参数资料
| 型号： | BSS138-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS138DICT |
BSS138
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage R GS ≤ 20K Ω
Gate-Source Voltage Continuous
Gate-Source Voltage Non repetitive, Pulse width<50 μ s
Drain Current Continuous
Pulsed Drain Current ( 10 μ s pulse duty cycle = 1%)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
I D
I DM
Value
50
50
± 20
± 40
200
1
Units
V
V
V
V
mA
A
Thermal Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 5)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
T J , T STG
Value
300
417
-55 to +150
Units
mW
° C/W
° C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 6)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
50
?
?
75
?
?
?
0.5
± 100
V
μA
nA
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = 50V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 6)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
V GS(th)
R DS (ON)
g FS
0.5
?
100
1.2
1.4
?
1.5
3.5
?
V
Ω
mS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 0.22A
V DS = 25V, I D = 0.2A, f = 1.0KHz
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
?
50
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
?
?
?
?
25
8.0
pF
pF
V DS = 10V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-On Delay Time
Turn-Off Delay Time
t D(ON)
t D(OFF)
?
?
?
?
20
20
ns
ns
V DD = 30V, I D = 0.2A, R GEN = 50 Ω
Notes:
5. Device mounted on FR-5 PCB 1.0 x 0.75 x 0.062 inch pad layout as shown on Diodes, Inc. suggested pad layout AP02001, which can be found on our
website at http://www.diodes.com.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0.6
0.5
T j = 25 ° C
V GS = 3.5V
0.8
0.7
V DS = 1V
-55 ° C
V GS = 3.25V
0.6
25 ° C
0.4
V GS = 3.0V
0.5
0.3
V GS = 2.75V
0.4
150 ° C
0.2
0.1
V GS = 2.5V
0.3
0.2
0.1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Drain-Source Current vs. Drain-Source Voltage
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Transfer Characteristics
4
4.5
BSS138
Document number: DS30144 Rev. 20 - 2
2 of 5
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BSS138-7-F | 功能描述:MOSFET 300mW 50V DSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| BSS138AKAR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250A 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.51nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:47pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300mW（Ta），1.06W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 |
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