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参数资料
| 型号： | BSS138-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS138DICT |
BSS138
2.45
2.4
2.25
2.0
2.05
1.85
1.65
V GS = 10V
I D = 0.5A
1.6
1.45
1.2
I D = 1mA
1.25
1.05
V GS = 4.5V
I D = 0.075A
0.8
I D = 250μA
0.85
0.65
-55 -5 45 95 145
T j , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Drain-Source On-Resistance vs. Junction Temperature
8
0.4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T j , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 4 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
9
7
6
V GS = 2.5V
150 ° C
8
7
V GS = 2.75V
5
25 ° C
6
150°C
5
4
4
3
2
1
-55 ° C
3
2
1
25°C
-55°C
0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 5 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 6 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
6
5
V GS = 4.5V
150°C
3.5
3
2.5
V GS = 10V
150°C
4
2
3
1.5
25°C
2
25°C
1
-55°C
1
-55 ° C
0.5
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 7 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 8 Drain-Source On Resistance vs. Drain-Current
BSS138
Document number: DS30144 Rev. 20 - 2
3 of 5
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS138-7-F | 功能描述:MOSFET 300mW 50V DSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| BSS138AKAR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250A 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.51nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:47pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300mW（Ta），1.06W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 |
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