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参数资料
| 型号： | BSS138DW-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Wire Change 16/Sept/2008 |
| 其它图纸： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BSS138DW-FDIDKR |
BSS138DW
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Product Summary
Features
V (BR)DSS
50V
R DS(ON) max
3.5 ? @ V GS = 10V
I D max
T A = +25°C
200mA
?
?
?
?
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
?
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Description
?
?
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Notes 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance
(R DS(on) ) and yet maintain superior switching performance, making it
ideal for high efficiency power management applications.
Mechanical Data
? Case: SOT-363
? Case Material: Molded Plastic. “Green” Molding Compound. UL
Flammability Classification Rating 94V-0
Applications
?
?
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
Terminals: Matte Tin Finish annealed over Alloy 42 leadframe.
?
Load Switch
?
?
Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Weight: 0.006 grams (approximate)
SOT-363
D 2
S 2
G 1
G 2
S 1
D 1
TOP VIEW
TOP VIEW
Internal Schematic
Ordering Information
(Note 4)
Part Number
BSS138DW-7-F
Case
SOT-363
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.
2. See http://www.diodes.com/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green"
and Lead-free.
3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and
<1000ppm antimony compounds.
4. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/products/packages.html.
Marking Information
K38
YM
K38
YM
K38 = Product Type Marking Code
YM = Date Code Marking for SAT (Shanghai Assembly/ Test site)
YM = Date Code Marking for CAT (Chengdu Assembly/ Test site)
Y or Y = Year (ex: A = 2013)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Year
Code
2005
S
2006
T
2007
U
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
2016
D
2017
E
2018
F
2019
G
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
BSS138DW
Document number: DS30203 Rev. 13 - 2
1 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC728-25 | OSC 25 MHZ 2.5V HCMOS SMD |
| FXO-HC720-37.5 | OSC 37.5 MHZ 2.5V HCMOS SMD |
| FXO-HC728-25.000938 | OSC 25.000938 MHZ 2.5V HCMOS SMD |
| FXO-HC520-10 | OSC 10 MHZ 2.5V HCMOS SMD |
| FXO-HC728-33.33 | OSC 33.33 MHZ 2.5V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS138DW-7-F-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:BSS138DW Series 50 V 3.5 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode Transistor SOT-363 |
| BSS138DWQ-13 | 功能描述:MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:10,000 |
| BSS138DWQ-7 | 功能描述:MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 |
| BSS138E6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
| BSS138-F085 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:27pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-23 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 |
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