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参数资料
| 型号： | BSS138DW-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Wire Change 16/Sept/2008 |
| 其它图纸： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BSS138DW-FDIDKR |
BSS138DW
6
5
V GS = 4.5V
150 ° C
3.5
3
V GS = 10V
150 ° C
2.5
4
2
3
25 ° C
1.5
25 ° C
2
1
-55 ° C
1
-55 ° C
0.5
0
0 0.5
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 7 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
1
0
0 0.5
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 8 Drain-Source On-Resistance vs. Drain-Current
100
V GS = 0V
f = 1MHz
C iss
0.1
150 ° C
-55 ° C
10
C oss
0.01
25 ° C
C rss
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1 1.2
1
0
5
10
15 20 25
30
V SD , DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 9 Body Diode Current vs. Body Diode Voltage
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Capacitance vs. Drain-Source Voltage
BSS138DW
Document number: DS30203 Rev. 13 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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