- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录373028 > BSS82BL TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BSS82BL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|进步党| 60V的五（巴西）总裁| 800mA的一（c）| SOT - 23封装 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | BSS82BL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS82CL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
| BSS89AMO | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 290MA I(D) | TO-92VAR |
| BSS95 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-202VAR |
| BSS97 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-202VAR |
| BSSERIES | surface mount silicon Zener diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS82BTA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS82BTC | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS82C | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon Switching Transistors |
| BSS82C-CM | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
| BSS82CE6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。