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参数资料
| 型号： | BST70A |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-channel vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, SOT-54 (TO-92) VARIANT, 3 PIN |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | BST70A |
April 1995
11
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel vertical D-MOS transistor
BST70A
NOTES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BST72A | N-channel vertical D-MOS transistor |
| BST74A | N-channel vertical D-MOS transistor |
| BST76A | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BST76 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BST80 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BST72A | 功能描述:MOSFET BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BST72A,112 | 功能描述:MOSFET BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BST72A_00 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| BST74A | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel vertical D-MOS transistor |
| BST76 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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