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参数资料
| 型号： | BT131-800E |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4Q Triac |
| 中文描述： | 4Q双向可控硅 |
| 封装： | BT131-800E<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,; |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | BT131-800E |
BT131_SER_D_E
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 3 November 2011
2 of 13
NXP Semiconductors
BT131 series D and E
Triacs logic level
3.
Ordering information
4.
Limiting values
[1]
Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The
rate of rise of current should not exceed 3 A/
s.
Table 2.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
BT131-600D
TO-92
plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
BT131-600E
BT131-800D
BT131-800E
Table 3.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VDRM
repetitive peak off-state voltage
BT131-600D, BT131-600E
[1] -
600
V
BT131-800D, BT131-800E
-
800
V
IT(RMS)
RMS on-state current
all conduction angles;
-1
A
ITSM
non-repetitive peak on-state
current
half sine wave; Tj =25 C prior to
t = 20 ms
-
12.5
A
t = 16.7 ms
-
13.7
A
I2tI2t for fusing
t = 10 ms
-
0.78
A2s
dIT/dt
rate of rise of on-state current
ITM = 1.5 A; IG =200 mA;
dIG/dt = 200 mA/s
T2+ G+
-
50
A/
s
T2+ G
-50
A/
s
T2
G
-50
A/
s
T2
G+
-
10
A/
s
IGM
peak gate current
-
2
A
PGM
peak gate power
-
5
W
PG(AV)
average gate power
over any 20 ms period
-
0.1
W
Tstg
storage temperature
40
+150
C
Tj
junction temperature
-
125
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT131-600 | 4Q Triac |
| BT131-800 | 4Q Triac |
| BT131W-600 | 4Q Triac |
| BT132-600D | 4Q Triac |
| BT134-600 | 4Q Triac |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BT131-800E,412 | 功能描述:双向可控硅 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT131-800E/L01EP | 功能描述:BT131-800E/L01/TO-92/STANDARD 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 三端双向可控硅类型:标准 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:12.5A，13.7A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 |
| BT131-800E412 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BT131-800EQP | 功能描述:BT131-800E/TO-92/STANDARD MARK 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 三端双向可控硅类型:标准 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:12.5A，13.7A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:10,000 |
| BT131SERIES | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Triacs logic level |
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