型号: | BT131-800 |
厂商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 4Q Triac |
中文描述: | 4Q双向可控硅 |
封装: | BT131-800<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,; |
文件页数: | 1/12页 |
文件大小: | 72K |
代理商: | BT131-800 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BT131W-600 | 4Q Triac |
BT132-600D | 4Q Triac |
BT134-600 | 4Q Triac |
BT254KPJ20 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQCC84 |
BT450KC30 | 16 X 12 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BT131-800 T/R | 功能描述:双向可控硅 THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
BT131-800,116 | 功能描述:双向可控硅 THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
BT131-800116 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
BT131-800D | 功能描述:双向可控硅 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
BT131-800D,112 | 功能描述:双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 13.7A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |