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参数资料
| 型号： | BT131-800 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4Q Triac |
| 中文描述： | 4Q双向可控硅 |
| 封装： | BT131-800<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,; |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | BT131-800 |
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005
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Date of release: 9 September 2005
Document number: BT131_SER_8
Published in The Netherlands
Philips Semiconductors
BT131 series
Triacs logic level
15. Contents
1
Product prole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT131W-600 | 4Q Triac |
| BT132-600D | 4Q Triac |
| BT134-600 | 4Q Triac |
| BT254KPJ20 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQCC84 |
| BT450KC30 | 16 X 12 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BT131-800 T/R | 功能描述:双向可控硅 THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT131-800,116 | 功能描述:双向可控硅 THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT131-800116 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BT131-800D | 功能描述:双向可控硅 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT131-800D,112 | 功能描述:双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 13.7A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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