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参数资料
| 型号： | BT131-800 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4Q Triac |
| 中文描述： | 4Q双向可控硅 |
| 封装： | BT131-800<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,; |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | BT131-800 |
BT131_SER_8
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 08 — 9 September 2005
2 of 12
Philips Semiconductors
BT131 series
Triacs logic level
3.
Ordering information
4.
Limiting values
[1]
Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The
rate of rise of current should not exceed 3 A/
s.
Table 2:
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
BT131-600
TO-92
plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
BT131-800
Table 3:
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VDRM
repetitive peak off-state voltage
BT131-600
[1] -
600
V
BT131-800
-
800
V
IT(RMS)
RMS on-state current
all conduction angles;
Tlead = 51.2 °C;
-1
A
ITSM
non-repetitive peak on-state
current
half sine wave; Tj =25 °C
prior to surge; see Figure 2
and 3
t = 20 ms
-
12.5
A
t = 16.7 ms
-
13.8
A
I2tI2t for fusing
t = 10 ms
-
1.28
A2s
dIT/dt
rate of rise of on-state current
ITM = 1.5 A; IG =20mA;
dIG/dt = 200 mA/s
T2+ G+
-
50
A/
s
T2+ G
-50
A/
s
T2
G
-50
A/
s
T2
G+
-
10
A/
s
IGM
peak gate current
-
2
A
PGM
peak gate power
-
5
W
PG(AV)
average gate power
over any 20 ms period
-
0.1
W
Tstg
storage temperature
40
+150
°C
Tj
junction temperature
-
125
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT131W-600 | 4Q Triac |
| BT132-600D | 4Q Triac |
| BT134-600 | 4Q Triac |
| BT254KPJ20 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQCC84 |
| BT450KC30 | 16 X 12 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BT131-800 T/R | 功能描述:双向可控硅 THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT131-800,116 | 功能描述:双向可控硅 THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT131-800116 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BT131-800D | 功能描述:双向可控硅 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT131-800D,112 | 功能描述:双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 13.7A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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