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参数资料
| 型号： | BT134-600 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4Q Triac |
| 中文描述： | 4Q双向可控硅 |
| 封装： | BT134-600<SOT82 (SIP3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT82.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | BT134-600 |
NXP Semiconductors
Product specification
Triacs
BT134 series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
th j-mb
Thermal resistance
full cycle
-
3.0
K/W
junction to mounting base
half cycle
-
3.7
K/W
R
th j-a
Thermal resistance
in free air
-
100
-
K/W
junction to ambient
STATIC CHARACTERISTICS
T
j = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
BT134-
...
...F
...G
I
GT
Gate trigger current
V
D = 12 V; IT = 0.1 A
T2+ G+
-
5
35
25
50
mA
T2+ G-
-
8
35
25
50
mA
T2- G-
-
11
35
25
50
mA
T2- G+
-
30
70
100
mA
I
L
Latching current
V
D = 12 V; IGT = 0.1 A
T2+ G+
-
7
20
30
mA
T2+ G-
-
16
30
45
mA
T2- G-
-
5
20
30
mA
T2- G+
-
7
30
45
mA
I
H
Holding current
V
D = 12 V; IGT = 0.1 A
-
5
15
30
mA
V
T
On-state voltage
I
T = 5 A
-
1.4
1.70
V
GT
Gate trigger voltage
V
D = 12 V; IT = 0.1 A
-
0.7
1.5
V
D = 400 V; IT = 0.1 A;
0.25
0.4
-
V
T
j = 125 C
I
D
Off-state leakage current
V
D = VDRM(max);
-
0.1
0.5
mA
T
j = 125 C
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
BT134-
...
...F
...G
dV
D/dt
Critical rate of rise of
V
DM =67% VDRM(max);
100
50
200
250
-
V/
μs
off-state voltage
T
j = 125 C; exponential
waveform; gate open
circuit
dV
com/dt
Critical rate of change of
V
DM = 400 V; Tj = 95 C;
-
10
50
-
V/
μs
commutating voltage
I
T(RMS) = 4 A;
dI
com/dt = 1.8 A/ms; gate
open circuit
t
gt
Gate controlled turn-on
I
TM = 6 A; VD = VDRM(max);-
-
2
-
μs
time
I
G = 0.1 A;
dI
G/dt = 5 A/
μs;
August 1997
2
Rev 1.200
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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