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参数资料
| 型号： | BT134-600 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4Q Triac |
| 中文描述： | 4Q双向可控硅 |
| 封装： | BT134-600<SOT82 (SIP3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT82.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | BT134-600 |
NXP Semiconductors
Product specification
Triacs
BT134 series
Fig.7. Normalised gate trigger current
I
GT(Tj)/ IGT(25C), versus junction temperature Tj.
Fig.8. Normalised latching current I
L(Tj)/ IL(25C),
versus junction temperature T
j.
Fig.9. Normalised holding current I
H(Tj)/ IH(25C),
versus junction temperature T
j.
Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.
Fig.11. Transient thermal impedance Z
th j-mb, versus
pulse width t
p.
Fig.12. Typical commutation dV/dt versus junction
temperature, parameter commutation dI
T/dt. The triac
should commutate when the dV/dt is below the value
on the appropriate curve for pre-commutation dI
T/dt.
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT136
Tj / C
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
IGT(Tj)
IGT(25 C)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
12
BT136
VT / V
IT / A
Tj = 125 C
Tj = 25 C
typ
max
Vo = 1.27 V
Rs = 0.091 ohms
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
TRIAC
Tj / C
IL(Tj)
IL(25 C)
10us
0.1ms
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
0.01
0.1
1
10
BT136
tp / s
Zth j-mb (K/W)
unidirectional
bidirectional
t
p
P
t
D
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
TRIAC
Tj / C
IH(Tj)
IH(25C)
0
50
100
150
1
10
100
1000
1.8
3
Tj / C
dIcom/dt = 5.1
3.9
2.3
dVcom/dt (V/us)
A/ms
1.4
off-state dV/dt limit
BT134...G SERIES
BT134 SERIES
BT134...F SERIES
August 1997
4
Rev 1.200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BT134-600D | 功能描述:双向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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