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参数资料
| 型号： | BT168EW |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications |
| 中文描述： | 1 A, 500 V, SCR |
| 封装： | PLASTIC, SOT-223, 4 PIN |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | BT168EW |
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
logic level for RCD/ GFI/ LCCB Applications
BT168W series
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
Fig.15. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
2
3
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
A
0.10
0.02
13
16
max
1.8
max
10
max
0.32
0.24
(4x)
B
M
0.1
A
M
0.2
September 1997
6
Rev 1.100
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT168W | Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications |
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| BT168_SERIES | Thyristors logic level for RCD/GFI/LCCB applications |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BT168G | 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| BT168G,112 | 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| BT168GW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 1A 600V SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR, 1A, 600V, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR, 1A, 600V, SOT-223; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; Gate Trigger Current Max, Igt:200A; Current It av:0.63A; On State RMS Current IT(rms):1A; Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz:8A; Holding Current Max ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristor,600V,1A,BT168GW |
| BT168GW,115 | 功能描述:SCR TAPE-7 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| BT168GWF | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR600VSOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR,600V,SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR,600V,SOT223; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; Gate Trigger Current Max, Igt:200A; Current It av:630mA; On State RMS Current IT(rms):1A; Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz:8A; Holding Current Max Ih:10mA; ;RoHS Compliant: Yes |
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